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采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层，不同热偏压条件下的C－V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用。
以注氮SiO2作为铜互连技术中的新型阻挡层
【摘 要】
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采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层，不同热偏压条件下的C－V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用。
【机 构】
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中国科学院微电子中心,北京科技大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :6993 60 2 0 )&&
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