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研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氯离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品，X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较。研究也表明使用的磁场强度越强，样品的光学质量提高越明显。