【摘 要】
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采用水浴法在泡沫镍基底上生长MnO2/Ni(OH)2复合纳米片阵列材料,并通过恒流充放电和循环伏安法研究所得MnO2/Ni(OH)2的电化学性能.利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微
【机 构】
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浙江理工大学机械与自动控制学院,杭州,310018
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采用水浴法在泡沫镍基底上生长MnO2/Ni(OH)2复合纳米片阵列材料,并通过恒流充放电和循环伏安法研究所得MnO2/Ni(OH)2的电化学性能.利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)分析产物的物相组成和微观形貌.结果表明:泡沫镍基底表面垂直生长着多孔纳米片阵列,纳米片间围成150～300 nm的小孔;在电流密度为200 mA/g时,所得纳米片阵列材料的首次放电比容量可达1575.4mAh/g,库伦效率为95.6％,100次循环材料的平均放电比容量达到1052.2mAh/g;这表明该复合材料具有较高的比容量和良好的循环性能.
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