【摘 要】
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SiC MOSFET作为新一代SiC电力电子器件中重要的代表,具有开关电流小、频率高等优点,正受到产业界瞩目和重视。低的源漏接触电阻是衡量SiC MOSFET器件性能的重要参数之一,选择
【机 构】
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SiC MOSFET作为新一代SiC电力电子器件中重要的代表,具有开关电流小、频率高等优点,正受到产业界瞩目和重视。低的源漏接触电阻是衡量SiC MOSFET器件性能的重要参数之一,选择合适的金属及工艺条件是制备低接触电阻的难点。主要研究Ni、Al等常用金属分别或同时与n-SiC和p-SiC形成欧姆接触的最新进展。
As the important representative of the new generation of SiC power electronic devices, SiC MOSFET has the advantages of small switching current and high frequency, which is receiving much attention and attention from the industry. Low source-drain contact resistance is one of the important parameters to measure the performance of SiC MOSFET devices. Choosing suitable metal and process conditions is a difficult point to prepare low contact resistance. The main research progress is the latest progress of ohmic contact between n-SiC and p-SiC, which are commonly used metals such as Ni and Al.
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