0.6微米电路光刻技术

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ososa
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松下电子工业公司,使用以前的步进式曝光装置和光保护层(感光树脂),研制出在硅片上刻划0.6微米线宽电子线路的光刻技术。从而不必等待昂贵的新型步进装置以及工序复杂的新型保护层技术的开发 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., using the previous stepper exposure device and light protection layer (photosensitive resin), developed on the silicon chip line width of 0.6 micron lithography. Eliminating the need to wait for the costly new stepper and the development of new protective layer technology with complex processes
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