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SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性，而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiCMESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象，设计了两种栅极大电流的条件，观察栅肖特基接触和器件特性的变化，并通过对试验数据的分析，确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化，甚至器件烧毁失效的主要原因。