原子层沉积氮化钽薄膜的研究进展

• 作 者: 乌李瑛 瞿敏妮 付学成 田苗 马玲 王英 程秀兰
• 机 构: 上海交通大学电子信息与电气工程学院
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2020年19期
• 关键词: TaN薄膜 原子层沉积 等离子增强型原子层沉积 电阻率 铜阻挡层 TaN filmatomic layer deposition(ALD)plasma enha
• 基金项目: 国家科技部“十三五”高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205),2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400),上海交通大学决策咨询课题(JCZXSJB2019-005,JCZXSJB2018-022)

在集成电路中,铜互连工艺需要沉积一层连续且保形性良好的铜阻挡层。氮化钽是一种过渡金属氮化物,由于其硬度高,导电性可控,对金属元素具有扩散阻挡的作用,在微电子工业领域中氮化钽是铜互连技术中研究最为广泛的扩散阻挡层材料。随着集成电路特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,早期的物理气相沉积(PVD)工艺难以满足其未来的制作需求,因此原子层沉积(ALD)技术对制备超薄氮化钽阻挡层起着至关重要的作用。大部分ALD氮化钽薄膜的工艺优化主要集中在控制前驱体及还原气体的成分和工艺,以避免生成高阻态Ta 3N 5。这是由于器件