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用烧结多晶碳化硅靶采用射频溅射制取了SiC薄膜;通过加热基片和镀后的高温退火实现了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变;利用AES、XPS、TEM、IR、UPS等对SiC薄膜的成分、结构、形貌、结合状态进行了分析;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。