【摘 要】
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用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较
【机 构】
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浙江大学物理系,浙江大学材科系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))之间及锶空位(V_(Sr))与杂质 Bi_(Sr)之间可缔合成复合缺陷.另一方面,正电子寿命谱也能反映出 Bi 在 SrTiO_3中替代的固溶限.实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂改性的介电陶瓷中微观缺陷机构的有效手段.
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