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研究了ＰＺＴ压电陶瓷断裂韧性Ｋ１ｃ随温度、特别是铁电相变的变化。探讨了极化电场与外应力的相对取向对材料Ｋ１ｃ的影响。结果表明，断裂韧性随温度升高而下降至居里点处的最低值，然后略有回升。基于裂纹尖端应力诱发畴转向的增韧机理，极化取向垂直于外张应力时的Ｋ１ｃ比平行取向的高。
极化电场取向对应力诱发PZT畴转向增韧的影响
【摘 要】
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研究了ＰＺＴ压电陶瓷断裂韧性Ｋ１ｃ随温度、特别是铁电相变的变化。探讨了极化电场与外应力的相对取向对材料Ｋ１ｃ的影响。结果表明，断裂韧性随温度升高而下降至居里点处的最低值，然后略有回升
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所200050,200050
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1993年4期
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