切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
一种硅基多孔氧化铝—荧光复合发光材料
一种硅基多孔氧化铝—荧光复合发光材料
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:emmajqf
【摘 要】
:
制备了多孔氧化铝-3-羟基-2-萘甲酸钠复合发光材料。PL谱表明3-羟基-2-萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后,发光峰相对于其在膜表面有明显蓝移。FT-IR谱进一步确认了3-羟基-2-萘甲酸钠进入氧化铝膜孔
【作 者】
:
易争平
邹建平
【机 构】
:
南京大学化学系南京大学配位化学国家重点实验室,南京大学物理系南京大学固体微结构物理
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2000年8期
【关键词】
:
复合材料
硅基
发光材料
荧光
氧化铝
PL
Compound material
Si|base
【基金项目】
:
国家自然科学基金资助项目!( No.5983 2 1 0 0 )
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
制备了多孔氧化铝-3-羟基-2-萘甲酸钠复合发光材料。PL谱表明3-羟基-2-萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后,发光峰相对于其在膜表面有明显蓝移。FT-IR谱进一步确认了3-羟基-2-萘甲酸钠进入氧化铝膜孔内,实验结果表明,以硅基多孔氧化铝膜为模板可以获得硅基纳米发光点。
其他文献
从工业设计的角度论五金产品的设计
期刊
工业设计
五金产品
设计
n型4H-SiC MOS电容的特性
在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计
期刊
4H-SIC
MOS电容
C-V特性
热生长SiO2
多相DC-DC主板电源控制器的设计
采用1.2μm BiCMOS工艺设制了多相控制器电路,测试结果表明,该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9.0标准。
期刊
BICMOS
多相
DC-DC
平均电流共享
BiCMOS
multiphase
DC-DC
average current sharing
与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计
用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS(M
期刊
光电探测器
器件模拟
CMOS工艺
兼容
设计
photodetector
device simulation
CMOS process
螺栓预紧力与扭力工具
期刊
螺栓
预紧力
扭力
工具
Cd1—xZnxTe合金的退火研究
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响,研究结果表明,红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀,两者
期刊
CDZNTE
红外透射谱
喇曼散射
退火
CdZnTe
IR transmission spectroscopy
Raman sc attering
电子锁的发展和设计综述
期刊
电子锁
发展
设计
非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光
研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系。热处理后,光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明降低。黄光峰强度随
期刊
氮化镓
光致发光
外延层
非掺杂n型
半导体材料
GaN
photoluminescence
annealing
浅谈我国多功能家用电动食品加工机的开发与发展
期刊
家用电器
食品
电动加工机
开发
MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性研究
本文讨论了MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性。首次实验发现了Ti(OC4H9)4的重复性问题。研究结果表明,热学性质的变化是Ti(OC4H9)4的重复性发生变化的根本原因。
期刊
MOCVD
化合物半导体
重复性
半导体薄膜技术
其他学术论文