与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaopanzi250
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS(MOS implementation support project)0.35umCOMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69um
其他文献
数学运算与人们日常生活息息相关,小学阶段是打下牢固运算基础的时候,熟练掌握运算能力,既能对日后考试有所帮助,又能对日常生活产生积极的影响。而且,高效课堂是在师生相互配合下
应用计算机辅助设计(CAD)方法模拟设计一种射频机械(RF-MEMS)开关,用Agilent ADS软件模拟分析了共面波导的传输线损耗和MEMS开关的等效电路模型,并应用ANSYS软件模拟开关的驱动电压,
在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计
采用1.2μm BiCMOS工艺设制了多相控制器电路,测试结果表明,该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9.0标准。