【摘 要】
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本文分析了在生长Ⅲ－Ｖ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素在机金属反庆气体的数量与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的，并从理论上导出了计
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本文分析了在生长Ⅲ－Ｖ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素在机金属反庆气体的数量与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的，并从理论上导出了计算公式。由于ＭＯＣＶＤ系统中Ⅲ族元素反应气体的输运特点，实际的Ｖ／Ⅲ比远小于根据目前方法所计算出的数值，此结果不仅说明生长时的Ｖ／Ⅲ比高于固态组份比的一种原因，同时也可以解释为什么在生长同种材料时，不同研究者所报
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