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为研究ＺｎＳｅ中的本征缺陷的Ａｌ在ＺｎＳｅ中的深能级行为，首先测量了ＺｎＳｅ单晶体中的深能级，发现只存在Ｅｃ－０．３３ｅＶ一个电子陷阱。然后，通过热扩散的方法。在３００－７００℃温度范围内把Ａｌ掺杂到ＺｎＳｅ单晶体中，结果发现存在Ｅｃ－０．３３ｅＶ和Ｅｃ－０．７０ｅＶ两个电子陷阱。
ZnSe:A1深能级的研究
【摘 要】
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为研究ＺｎＳｅ中的本征缺陷的Ａｌ在ＺｎＳｅ中的深能级行为，首先测量了ＺｎＳｅ单晶体中的深能级，发现只存在Ｅｃ－０．３３ｅＶ一个电子陷阱。然后，通过热扩散的方法。在３００－７００℃温度范围内把Ａｌ掺杂到ＺｎＳｅ单晶体中，结果发现存在Ｅｃ－０．３３ｅＶ和Ｅｃ－０．７０ｅＶ两个电子
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1995年4期
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