【摘 要】
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本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.4832eV)等)的行为进行了全面、系统的研究,并对
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,瑞典Linkping大学物理和测量技术系,瑞典Linkping大学物理和测量技术系
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本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.4832eV)等)的行为进行了全面、系统的研究,并对前人的结果做了评述。首次报道了扩铜条件及其扩铜后的淬火过程和热处理条件对PL谱线的影响,其主要结果如下:(1)在Ga-GaAs溶液中扩铜,仅能观察到
The photoluminescence (1.36 eVPL band, bound exciton Co (1.5026eV) and F_0 (1.4832eV), etc.) related to copper in copper-expanded HB, SI-LEC bulk GaAs, VPE and LPE- Conduct a comprehensive and systematic study, and made a comment on the results of previous generations. The main results are as follows: (1) In the Ga-GaAs solution copper expansion, only the observed
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