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在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性。它与常见的半导体结型器件特性有很大不同。在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性。在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响。
8—羟基喹啉铝／镁结接触特性研究
【摘 要】
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在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性。它与常见的半导体结型器件特性有很大不同。在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定
【机 构】
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中国科学院长春物理所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年6期
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