【摘 要】
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主要研究了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ增益控制特性，利用双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ第二栅的电压来控制管子网络的增益，利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的ＲＦ脉冲振荡
【机 构】
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南京理工大学电子工程与光电技术学院
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主要研究了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ增益控制特性，利用双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ第二栅的电压来控制管子网络的增益，利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的ＲＦ脉冲振荡器。该ＲＦ脉冲振荡器可用作小功率脉冲雷达源，特别适用于飞行器上的雷达发射源。
The gain control characteristics of double-gate GaAsMESFET are mainly studied. The gain of the tube network is controlled by the voltage of the second gate of the double-gate GaAsMESFET. By using this characteristic, the modulation of the pulse to the microwave oscillator is realized. The use of microstrip circuit developed a compact, low cost, high performance RF pulse oscillator. The RF pulse oscillator can be used as a low-power pulsed radar source, especially for radar launch sources on the aircraft.
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