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讨论了氮化硅分别在1150℃和1350℃的温度下在硫化氧化气氛中的腐蚀行为。结果表明：在1150℃的湿度下硫对SiO2氧化层的破坏和活化氧化腐蚀是此时Si3N4发生腐蚀的主要原因；在1350℃，添加剂以及杂质元素向晶界及样品表面的扩散导致了气泡的形成、发展与破裂，加快了Si3N4的腐蚀速度，成为此时腐蚀过程的控制步骤。