纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究

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用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜,经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒,室温下能发出可见光。实验表明,高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在SiO2的无序网络中,其晶粒尺寸减少,而发光强度增强,发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明,发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的SiO2层的发光中心。 The hydrogenated amorphous silicon alloy film is prepared by a plasma chemical vapor deposition method, and the nanometer size crystal grains can be prepared by high temperature annealing and high temperature oxidation, and can emit visible light at room temperature. Experiments show that the high temperature oxidized nanoparticles are embedded in the disorderly network of SiO2, the grain size decreases, and the luminous intensity increases, the emission peak position to the direction of shortwave movement. These results indicate that luminescence is derived from the quantum size effect of nanocrystals and the luminescence center of the SiO2 layer covering the surface of the grains.
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