表面化学修饰对CdS纳米粒子三阶光学非线性的影响

• 作 者: 张宇 王刚 等
• 机 构: 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室室210093,东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2002年4期
• 关键词: 硫化镉钠米粒子 表面化学修饰 简并四波混频 三阶光学非线性 CdS nanoparticles surface chemical modification de
• 基金项目: NSF(No.10 0 740 2 3 ,69890 2 2 5 ,69890 2 2 0 )

用反胶束法制备了表面修饰AOT-SO3^-（磺基琥珀酸双-2-乙基已酯钠盐的阴离子）的CdS纳米粒子与表面修饰Py(吡啶）的CdS纳米粒子。采用背相简并四波混频（DFWM）的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当CdS纳米粒子表面上的AOT-SO3^-被Py取代后，其三阶非线性极化率增加，这归于表面修饰Py的CdS纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子-空穴分离态，从而提高了对激子吸收的漂白效率，增加了三阶光学非线性。