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在高温和大栅电流下，对TiAl栅和TiPtAu栅MESFET的稳定性进行了比较研究，结果表明：（1）两种器件的击穿电压稳定，栅Schottky接触二极管理想因子n变化不明显；（2）TiAl栅的MESFET的栅特性参数（栅电阻Rg,势垒高度Фb)变化明显，与沟道特性相关的器件参数（如最大饱和漏电流Idss，栅下沟道开路电阻R0，夹断电压Vpo等）保持相对不变；（3）对TiPtAu栅MESFET来说，栅Schottky二级管特性（栅电阻Rg,势垒高度φb)保持相对稳定，与沟道特性相关的器件参数（如最大饱和漏电