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研究了MOS器件中的热载流子效应,在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上,提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型.此外,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系,讨论了热载流子效应对电路性能的影响.通过对这些失效因素的研究和通过一定的再设计手段,可以减少热载流子效应导致的器件退化.