【摘 要】
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采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的I V特性进行了研究,所得结果近似表现出了MOS(Metal Oxide Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I V特性
【机 构】
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华南理工大学物理科学与技术学院,华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州510640,广东广州510640
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采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的I V特性进行了研究,所得结果近似表现出了MOS(Metal Oxide Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I V特性随温度的变化规律.发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响.文中所得结论为分子器件和纳米器件的开发提供了理论基础.
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