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以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器.研究了硅基、钼-铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响.结果表明:相对湿度(RH)为20%~80%发生准静态变化时,该传感器的湿度-电容曲线具有较好的线性度;外界相对湿度在12%和92%间发生阶跃变化时,响应时间约为40 s.