【摘 要】
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红外探测器材料(Proc.SPIE.V.285,Apr.1981)1.IV-VI族化合物半导体的统一特性和发展前景2.外延薄膜IV-VI族探测器:器件性能和基本的材料特性3.外延薄膜铅盐红外探测器的制备
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红外探测器材料(Proc.SPIE.V.285,Apr.1981)1.IV-VI族化合物半导体的统一特性和发展前景2.外延薄膜IV-VI族探测器:器件性能和基本的材料特性3.外延薄膜铅盐红外探测器的制备4.Pb/PbS_0.5Se_0.5界面和Pb/PbS_0.5Se_0.5光电二极管的特性5.IV-VI族化合物缺陷态的光学研究6.在PbTe上表面空间电荷层的物理性质7.IV-VI族半导体在磁场中的特性
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