【摘 要】
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——本文叙述了三毫米硅P~+NN~+崩越二极管的参数设计考虑及结果.根据这一考虑而研制的用超小型陶瓷管壳封装的硅P~+NN~+崩越二极管在90到126GHz范围内功率输出大于30mW,效率
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——本文叙述了三毫米硅P~+NN~+崩越二极管的参数设计考虑及结果.根据这一考虑而研制的用超小型陶瓷管壳封装的硅P~+NN~+崩越二极管在90到126GHz范围内功率输出大于30mW,效率η≥1.5%.最佳结果为103GHz下输出115mW,η为3.6%.
- This paper describes the design considerations for three-millimeter silicon P ~ + NN ~ + collapsing diodes and their results. Based on this consideration, the silicon P ~ + NN ~ + collapsing diodes packaged with ultra-small ceramic package The power output is greater than 30mW in the range of 90 to 126GHz and η ≥ 1.5%, and the best result is 115mW at 103GHz and η = 3.6%.
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