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测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼（cBN）晶体的伏安特性，它们为非线性曲线．使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性，曲线的形状非常相似．在样品两端的电压值大约为560V时，cBN晶体发生电致发光现象．利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象．
立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光
【摘 要】
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测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼（cBN）晶体的伏安特性，它们为非线性曲线．使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性，曲线的形状非常相似．在样品两端的电
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,牡丹江师范学院,吉林大学超硬材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60176009,60476027）及吉林省科学技术厅（批准号：20010580）资助项目
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