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本文论述SiO<sub>2</sub>薄膜的低温等离子体改性研究。测试了经改性的介质膜的电学性能,利用AES和IR等表面分析技术分析了膜的组分和结构。在此基础上确定了影响膜性质的工艺因素,获得了性能优良的介质膜,并成功地开发了用于制备SOI材料的等离子体表面处理技术。
SiO<sub>2</sub>薄膜的等离子体改性及其应用研究
【摘 要】
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本文论述SiO<sub>2</sub>薄膜的低温等离子体改性研究。测试了经改性的介质膜的电学性能,利用AES和IR等表面分析技术分析了膜的组分和结构。在此基础上确定了影响膜性质的工
【机 构】
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东南大学微电子中心,南京通信工程学院
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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1989年4期
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