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利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄膜的附着力比没有过渡层的薄膜附着力分别增加了5倍和8倍。
铜薄膜与Al2O3陶瓷界面结合力的IBAD过渡层增强
【摘 要】
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利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系,清华大学材料科学与工程系北京100084,北京100084,北京100084
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1993年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,中关村分析测试基金
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