【摘 要】
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测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光谱中观测到６５０ｎｍ和１２６０ｎｍ发光带，发现１２６０ｎｍ发光带的发光强度随
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室
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测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光谱中观测到６５０ｎｍ和１２６０ｎｍ发光带，发现１２６０ｎｍ发光带的发光强度随老化时间的增加而增强。实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了ＧａＰ纯绿ＬＥＤ的发光效率。
The visible and near infrared luminescence spectra of GaP pure green LEDs before and after aging were measured. The origin of deep level produced by aging and its effect on diode luminescence efficiency were studied. The luminescence bands of 650nm and 1260nm were observed in the luminescence spectrum after aging, and the luminescence intensity of 1260nm luminescence band was found to be enhanced with the aging time. Experimental results show that the phosphorus-related deep levels produced by aging seriously affect the luminous efficiency of GaP pure green LEDs.
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