金属/Ⅲ-Ⅴ族半导体界面费米能级的位移

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本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金属复盖度的增加而增加的模型进行理论计算,计算结果与实验曲线相吻合。 This paper describes in detail the experimental results of the Fermi level displacement of the metal / GaAs and metal / GaSb interfaces at very low coverage (sub-monolayers to several monolayers) The coverage of the model increases with the theoretical calculation, the calculated results are in good agreement with the experimental curves.
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