【摘 要】
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用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极
【机 构】
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西安整流器研究所,西安交通大学,西安交通大学
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用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.
A-Si: H FET was prepared by continuous deposition of a-Si_xN_ (1-x): H and a-Si: H by glow discharge. By improving the ohmic contact between a-Si: H and source and drain Al electrodes, A-Si: HFET with good DC characteristics was obtained by annealing in a nitrogen atmosphere, etc. When the gate voltage V_G was changed by 10V, the change of leakage current and source current was six orders of magnitude.
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