【摘 要】
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分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京 210018,南京 210018,南京 210018
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分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。
The effect of drain-source pn junction leakage current on MOSFET AC parameters operating at zero temperature coefficient (ZTC) in high-temperature MOS analog integrated circuits is analyzed. The results show that the diffusion current of pn junction has a great influence on the AC performance of high temperature MOSFET, and the influence of current generation is negligible. An important way to reduce the effect of leakage current on the AC performance of a high temperature MOSFET is to increase the substrate doping concentration. The formulas for calculating the maximum allowable leakage current of drain-source pn junction and drain-source current operating at ZTC are also given.
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