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利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT），其特征频率（f1）达到54GHz，最高振荡频率（fmax）达到71GHz，并且，这种方法工艺简单，成品率高。文中还对该结果进行了分析，提出了进一步提高频率特性的方法。
自对准GaInP／GaAs HBT器件
【摘 要】
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利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT），其特征频率（f1）达到54GHz，最高振荡频率（fmax）达到71GHz，并且，这种方法工艺简单，成品率高。文中还
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年5期
【基金项目】
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国家重大基础研究 ( No.G2 0 0 0 0 0 6830 40 3),,中国科学院重大方向性 ( No.KGX2 -10 1)资助项目~~
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