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研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中，空洞型原生缺陷（voids）的分布行为和其退火性质。从两种晶体不同位置取样，观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷（FPD）沿晶体轴向的分布，然后在1050－1250℃下Ar气中退火不同时间。实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸voids相关的FPD缺陷的密度大量减少，其体内这种FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样，在高温下才能被有效的消除。这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的voids的产生，而且掺氮硅中voids的内壁也有氧化膜存在。