MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

• 作 者: 李述体 王立
• 机 构: 南昌大学材料科学研究所!南昌330047
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2000年4期
• 关键词: MOCVD 氮化镓 镁 掺杂 薄膜 GaN MOCVD doping Mg dose
• 基金项目: 国家 8 63新材料领域,国家自然科学基金,江西省跨世纪人才基金

使用ＭＯＣＶＤ技术在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ：Ｍｇ薄膜。通过对退火后样品的光电性能综合分析，研究了掺Ｍｇ量对生长Ｐ型ＧａＮ的影响。结果表明：要获得高空穴载流子浓度的Ｐ型ＧａＮ，Ｍｇ的掺发查必须控制好，掺Ｍｇ量较小时，ＧａＮ：Ｍｇ单昌膜呈现Ｎ型导电，得不到Ｐ型层；掺Ｍｇ量过大时，会形成与Ｍｇ有关的深施主，由于深施主的补偿作用，得不到高空穴浓度的Ｐ型ＧａＮ。生长Ｐ型ＧａＮ的最佳Ｃｐ２Ｍｇ／ＴＭＧａ