新型稀磁半导体Cd1—xMnxIn2Te4和光学和磁学性能

• 作 者: 安卫军 常永勤 等
• 机 构: 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2002年10期
• 关键词: 稀磁半导体 Cd1-xMnxIn2Te4 红外透过度 磁化率 反铁磁交换作用 DMS diluted magnetic semiconductor Cd_ 1-
• 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :5 9872 0 2 7),,航空科学基金 (批准号 :98G5 30 99)资助项目~~

采用垂直Bridgman法制备出了x=0.1,0.22和0．4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体，采用红外透射光说法研究了晶体的红外光学特性，用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5－300K和磁场强度范围0－5T内的磁化强度。在中红外波段透过度曲线变化很小，随着x的增加Cd1-xMnxIn2Te4的光学带隙移向高能端，磁化率倒数χ^-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里－万斯定律，在低温下x≥0。22时向下偏离该定律，与具有相同Mn^2+浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2Te4晶体的