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在异质结双权晶体管（HBT）功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻，以改善其热稳定性。通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻，而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应。
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
【摘 要】
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在异质结双权晶体管（HBT）功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻，以改善其热稳定性。通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻，而且在功率HBT器件中还
【机 构】
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吉林大学电子科学和工程学院,香港科技大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1),国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
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