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本文介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件（ＢＮＲＤ）进行二维数值模拟的方法。并用此方法模拟得出了器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布。由此可以更清楚地了解器件的工作机理。此外还对不同结构、工艺参数的ＢＮＲＤ进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系。