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使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ，除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造，试制品主要电特性达到设计要求，说明利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性，文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析。
用全扩散法制作MCT
【摘 要】
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使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ，除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造，试制品主要电特性达到设计要求，说明利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性，文中讨论了适合于全扩散工艺的器
【机 构】
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西安理工大学自动化工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年9期
【基金项目】
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国家“八五”重大攻关项目,国家计委的资助
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