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本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响，结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０＾－６－１０＾－７（Ω．ｃｍ）＾－１的范围内，薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小，相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电