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介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后，在不同偏置及不同退火温度下，运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律，分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因．结果显示，运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系，而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si／SiO2界面态密度的增长与退火直接相关．