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介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准确路径，进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系。模拟结果表明，解析与模拟结果具有很好的一致性，而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点．该解析理论为在薄膜SOI材料上制作性能优良的高压功率器件提供了一个很好的参考．