【摘 要】
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本文对磁敏MOS器件进行了计算机模拟,提出用分区域方法进行器件的两维数值分析,有效地降低了计算费用.井利用BFGS方法,对磁敏MOS 器件进行了优化设计,分析结果表明,宽长比W/L
【机 构】
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南京工学院微电子中心,南京工学院微电子中心,南京工学院微电子中心 南京,南京,南京
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本文对磁敏MOS器件进行了计算机模拟,提出用分区域方法进行器件的两维数值分析,有效地降低了计算费用.井利用BFGS方法,对磁敏MOS 器件进行了优化设计,分析结果表明,宽长比W/L为0.82的磁敏器件有最高的灵敏度,实验结果证实了这一理论预测.
In this paper, the computer simulation of magneto-sensitive MOS devices is proposed, and the two-dimensional numerical analysis of the device is proposed by using the sub-region method, which effectively reduces the computational cost. Well BFGS method is used to optimize the magneto-sensitive MOS devices, The maximum sensitivity of a magneto-sensitive device with a W / L ratio of 0.82 is confirmed by experimental results, confirming this theoretical prediction.
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