LID形式的微波硅半导体二极管

来源 :电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:king269
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
由于在至15千兆赫的微波范围内引入微波集成电路技术,有必要研制相应的元件。通用电器-德律风根公司为此种微波电路研制了 LID 形式的硅二极管。LID 二极管(无引线变换器)由一条约1毫米长的陶瓷桥板组成,其凹处承接引线的硅片。它可直接焊入电路。有4种型号可提供:用于12千兆 Due to the introduction of microwave integrated circuit technology in the microwave range up to 15 GHz, it is necessary to develop the corresponding components. General Electric - Telefunken developed the LID form of silicon diodes for this type of microwave circuit. The LID diode (leadless converter) consists of a ceramic bridge approximately 1 mm long, with the recess receiving the lead silicon. It can be directly welded into the circuit. Available in 4 models: for 12 gigabytes
其他文献
罗红是谁?也许你不认识,但你可能看过他的摄影作品,北京地铁里到处都是:如果你没有见过,那你应该吃过他的蛋糕;如果还没有,那你应该知道他创办的好利来,700多家店面遍布全国上百个大中城市:如果这一切你都一无所知,那你早晚有一天会知道,因为他要把好利来开遍华夏大地,即使他做不到,他的后来者也一定可以做到。
一、前言单晶硅在氢氟酸中进行阳极处理之后可使其表面变成在化学上较为活泼的多孔性硅(以后称为多孔性硅)。这现象与硅的电解腐蚀有关,Turner等人对此已作过报导。此后一些
已在小信号和大信号区实验研究了具有渡越时间负阻的穿通注入二极管的微波性能。所研究的特定器件是硅p~+-n-p~+,M-n-p~+和p+-v-n-p~+结构。宽范围的小信号导纳测量指出,这些
EL现象发现以来,最初因被认为是第三光源—面光源而得到人们的重视。后因其发光效率低,亮度也低,寿命短等弱点使这方面研究冷落下去。但随着研究的继续深入,新的材料的出现,
近几年来,为了使小尺寸的发光二极管(LED)片子变成较大的发光段,在LED工业上已出现一种扩展段式显示器。这种显示器的重要特征是:(1)段的均匀性,(2)视角,(3)光输出,和(4)价
现在计算机的外设产局都已进入网络、影像结合的时代,这款BearPaw1200扫描仪很符合这种需求,活泼的外观造型、亲切的操作界面,所附赠的软件也相当好用,很适合初次购买扫描仪
王力平,1938年到延安参加革命,1951年1月任中央办公厅警卫处保健科副科长,兼任刘少奇保健医生。后曾任海军卫生部防疫大队卫生勤务研究所代理所长.海军某部卫生处处长,张家口专署卫生局局长、张家口地区科协主任等职。2006年3月逝世。本文根据2005年底对王力平同志的采访记录整理。
本文作者对当一个强干扰信号出现在参放通带内或附近时,参放输入噪声温度与泵源调幅噪声电平的关系作了理论和实验的研究,导出了一个方程式。它预示着参放输入噪声温度有所增
2017年8月27-28日,全国农技中心在江西宜春市举办全国新农药减量应用技术培训班,来自27个省(区、市)及有关地县植保站植保技术人员,以及部分农药企业人员共60多人参加了培训
绪言Barnes 工程公司在 InSb 和 PbSnTe 光伏红外探测器方面新近又有所进展。本文即谈这些进展的情况。就 InSb 而言,这种努力旨在发展制造单个或多元探测器的新工艺。这种