【摘 要】
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液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,
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液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.
The droplet epitaxial growth of semiconductor material is a novel MBE growth technology, and the influence of the patterned substrate on the droplet epitaxy so far has not been very detailed research results.After the InAs liquid on the patterned substrate of GaAsμm Drop epitaxial growth and different InAs quantum dots and quantum ring growth results were obtained on the patterned substrates with different structures.Based on the growth results, the influence of the patterned substrate on the droplet epitaxy and the droplet epitaxy were investigated. Quantum dots and quantum dots Ring formation mechanism and distribution.
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