【摘 要】
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本专利提出一种制作红外探测器的新方法,即后划线制作法。使用这种方法制作多元半导体器件时,先用粘着剂把多元半导体,如HgCdTe薄片,粘结在具有绝缘性能的衬底上,靠光蚀法在
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本专利提出一种制作红外探测器的新方法,即后划线制作法。使用这种方法制作多元半导体器件时,先用粘着剂把多元半导体,如HgCdTe薄片,粘结在具有绝缘性能的衬底上,靠光蚀法在HgCdTe薄片上作一层规定图案的光至抗蚀剂膜,然后用腐蚀液和浓硫酸把无光致抗蚀剂地方(如图2的5所示)的HgCdTe薄片,以及它下面的粘着剂去掉,使衬底的表面暴露出来,然后再进行其他加工工艺,以做成红外探测器。
This patent proposes a new method of making an infrared detector, which is a post-scribe method. When using this method to fabricate a multicomponent semiconductor device, a plurality of semiconductors, such as HgCdTe sheets, are first adhered to an insulating substrate by an adhesive and a predetermined pattern of light is applied to the HgCdTe sheet by photolithography The film is then etched with a solution of HgCdTe and concentrated sulfuric acid to remove the HgCdTe flakes, as shown in Figure 2, and the underlying adhesive, exposing the surface of the substrate and then Other processing technology to make infrared detectors.
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