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用射频磁控溅射在（１００）ＳｒＴｉＯ３单晶衬底上外延生长ＭｇＯ导引层，光刻刻蚀去一半后沉积生长ＣｅＯ２外延膜，再直流溅射外延生长ＹＢＣＯ超导膜，得到了４５°转向结。用Ｘ射线θ－２θ扫描和Φ扫描研究了各外延膜的结构和取向。
YBCO双外延结的X射线Φ扫描分析
【摘 要】
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用射频磁控溅射在（１００）ＳｒＴｉＯ３单晶衬底上外延生长ＭｇＯ导引层，光刻刻蚀去一半后沉积生长ＣｅＯ２外延膜，再直流溅射外延生长ＹＢＣＯ超导膜，得到了４５°转向结。用Ｘ射线θ－２θ扫描和Φ扫描研究了各外延膜的结构和取
【机 构】
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北京有色金属研究总院,电子工业部４６所
【出 处】
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中国稀土学报
【发表日期】
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1996年2期
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