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本文评论了近几年来微波晶体管的研究动向:FET进一步向短栅化发展,沟道材料由GaAs向In GaAs转变,f_T已超过200GHz,最高f_0达94GHz,30GHz下已能输出1W,12GHz下的NF已降到0.58dB。
微波晶体管的开发动向
【摘 要】
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本文评论了近几年来微波晶体管的研究动向:FET进一步向短栅化发展,沟道材料由GaAs向In GaAs转变,f_T已超过200GHz,最高f_0达94GHz,30GHz下已能输出1W,12GHz下的NF已降到0.58d
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1990年1期
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