具有低暗电流的全金属化耦合封装InGaAs/InP平面PIN光电二极管

• 作 者: 黄燕丹 蒋兴亚 朱华海 刘存义 江朝川 田禾
• 机 构: 重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 1987年03期
• 关键词: 暗电流 光电二极管 InGaAs/InP PIN 金属化 响应度 结电容 平面 器件 反向偏压

本文报导了一种具有先进结构的InGaAs/InP平面PIN光电二极管。该器件的响应度最高可达0.95μA/μW,结电容一般小于1pF,暗电流在室温-5V下最低为0.02nA。

This article reports an advanced InGaAs / InP planar PIN photodiode. The device responsivity of up to 0.95μA / μW, junction capacitance is generally less than 1pF, dark current at room temperature -5V minimum of 0.02nA.